10月1日，ASML与蔡司联合宣布，数值孔径≥0.75的Hyper NA EUV光刻机有望实现5nm半间距光学分辨率，预计约10年后量产。该技术延续13.5nm波长，主要挑战在于景深降低，需更薄光刻胶及更高精度的聚焦、晶圆平整与工艺控制。0.75NA系统体积略大于现有High NA设备，兼容洁净室与现有掩膜、光源基础设施；而0.85NA因体积过大被判定缺乏实用性。
免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。
10月1日，ASML与蔡司联合宣布，数值孔径≥0.75的Hyper NA EUV光刻机有望实现5nm半间距光学分辨率，预计约10年后量产。该技术延续13.5nm波长，主要挑战在于景深降低，需更薄光刻胶及更高精度的聚焦、晶圆平整与工艺控制。0.75NA系统体积略大于现有High NA设备，兼容洁净室与现有掩膜、光源基础设施；而0.85NA因体积过大被判定缺乏实用性。
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