三星开发三款AI优化NAND闪存：zNAND-O/T/I

2026年10月12日，三星电子正研发三款面向AI负载优化的NAND闪存产品——zNAND-O、zNAND-T与zNAND-I。其中，zNAND-T聚焦高吞吐量，采用TSV堆叠技术，专为数据中心AI芯片提升读写带宽；zNAND-I强化随机IOPS性能，适用于KV Cache卸载等高频小数据读写场景。三者分工明确，标志NAND闪存正从通用型向定制化演进。

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