2026年9月14日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，依托自研SCIENCE系列VB法长晶设备，全球首次实现12英寸氧化镓单晶等径生长。等径生长是产业化关键环节，可提升晶锭有效利用率、降低单片衬底成本。该尺寸衬底兼容主流硅基产线，有助减少下游设备投入与产线切换周期。公司温控精度达±0.1℃，已实现2至12英寸全尺寸快速迭代。此前，其于今年3月完成全球首例8英寸氧化镓同质外延生长。
免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。
2026年9月14日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，依托自研SCIENCE系列VB法长晶设备，全球首次实现12英寸氧化镓单晶等径生长。等径生长是产业化关键环节，可提升晶锭有效利用率、降低单片衬底成本。该尺寸衬底兼容主流硅基产线，有助减少下游设备投入与产线切换周期。公司温控精度达±0.1℃，已实现2至12英寸全尺寸快速迭代。此前，其于今年3月完成全球首例8英寸氧化镓同质外延生长。
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