据韩媒报道，SK海力士第六代10nm级DRAM工艺1c nm预计于2027年初超越1b nm，成为其最大产能制程。自2026年第一季度至2027年第一季度，1c nm产能占比由10%升至35%，同期1b nm降至33%，实现交叉。该工艺将用于新一代HBM4E内存，以支撑HBM技术迭代。三星与美光同期10nm级产能占比分别为16%和19%。此举旨在保障HBM4向HBM4E升级的产能平滑过渡。
免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。
据韩媒报道，SK海力士第六代10nm级DRAM工艺1c nm预计于2027年初超越1b nm，成为其最大产能制程。自2026年第一季度至2027年第一季度，1c nm产能占比由10%升至35%，同期1b nm降至33%，实现交叉。该工艺将用于新一代HBM4E内存，以支撑HBM技术迭代。三星与美光同期10nm级产能占比分别为16%和19%。此举旨在保障HBM4向HBM4E升级的产能平滑过渡。
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