2026年8月7日，SK海力士在FMS 2026峰会宣布推出新一代375层堆叠V10 NAND闪存，为其首款采用晶圆键合技术的NAND产品。该芯片实现上代2.5倍每瓦性能，专为AI基础设施优化。公司计划于2027年上半年量产基于V10的企业级固态硬盘。同期还展示了V9H UFS 5.0解决方案UG500及PCIe Gen5 QLC SSD PQF02。
免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。
2026年8月7日，SK海力士在FMS 2026峰会宣布推出新一代375层堆叠V10 NAND闪存，为其首款采用晶圆键合技术的NAND产品。该芯片实现上代2.5倍每瓦性能，专为AI基础设施优化。公司计划于2027年上半年量产基于V10的企业级固态硬盘。同期还展示了V9H UFS 5.0解决方案UG500及PCIe Gen5 QLC SSD PQF02。
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