2026年7月30日，日本存储厂商KIOXIA（铠侠）宣布开始向客户出货基于第九代BiCS FLASH技术的1Tb TLC 3D NAND闪存样品。该器件采用230层存储阵列，堆栈结构接近BiCS8，同时集成BiCS10同款CMOS工艺，接口速率提升至4.8 Gb/s。新产品面向中低容量、高性能及高能效应用场景。此举标志着铠侠在NAND技术迭代中持续推进产品落地。
免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。
2026年7月30日，日本存储厂商KIOXIA（铠侠）宣布开始向客户出货基于第九代BiCS FLASH技术的1Tb TLC 3D NAND闪存样品。该器件采用230层存储阵列，堆栈结构接近BiCS8，同时集成BiCS10同款CMOS工艺，接口速率提升至4.8 Gb/s。新产品面向中低容量、高性能及高能效应用场景。此举标志着铠侠在NAND技术迭代中持续推进产品落地。
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