2026年7月27日，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠证实，HBM5将采用2nm工艺基础裸片。此举旨在提升性能与能效，使运行速率较HBM4E提升超50%。新裸片支持更高密度硅通孔（TSV），以满足高带宽需求。相较当前HBM4/HBM4E所用的4nm裸片，2nm节点可进一步优化功耗与散热。三星此前已在HBM4E中通过4nm高密度器件实现14+ Gbps速率。
免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。
2026年7月27日，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠证实，HBM5将采用2nm工艺基础裸片。此举旨在提升性能与能效，使运行速率较HBM4E提升超50%。新裸片支持更高密度硅通孔（TSV），以满足高带宽需求。相较当前HBM4/HBM4E所用的4nm裸片，2nm节点可进一步优化功耗与散热。三星此前已在HBM4E中通过4nm高密度器件实现14+ Gbps速率。
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