镓仁半导体氧化镓外延片通过SBD器件验证

2026年7月24日，杭州镓仁半导体宣布其10μm厚、载流子浓度1×10¹⁶ cm⁻³的氧化镓同质厚膜外延片，在西安电子科技大学成功制备并验证无终端SBD器件。测试显示击穿电压达1090–1490V、比导通电阻为2.6–4.5 mΩ·cm²，关键指标优于日本同类产品。该突破标志着我国大尺寸氧化镓同质外延材料在器件应用端取得关键进展，外延片已实现稳定现货供应。

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