当地时间2026年6月15日，法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）在IEEE VLSI 2026研讨会上宣布突破性FeRAM电容器技术。该技术采用三维垂直结构设计，在22nm节点实现最高0.0028μm²位单元面积，存储密度达标准SRAM的2.5倍，接近10nm SRAM水平。作为非易失性存储器，FeRAM无需DRAM式刷新，可显著降低端侧设备功耗。CEA-Leti证实高深宽比（17:1）方案无‘唤醒’问题，具备量产可行性。
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