据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子与SK海力士正计划将混合键合技术应用于下一代HBM内存——HBM4中。消息显示，三星有望最早于明年在HBM4中引入该技术，而SK海力士则可能在后续的HBM4E中采用。相比之下，美光等其他厂商或将选择有凸块键合的迭代版本。
混合键合技术通过无凸块设计，不仅能降低HBM内存堆栈的层高，支持更多堆叠层数，还能提升电气性能，实现更高的传输速率。根据半导体设备厂商Besi的年报，16Hi HBM4 (E) 产品预计将在2026年面世，虽较预期推迟一年，但仍标志着行业对高性能内存的持续追求。这一技术突破将进一步推动数据中心、人工智能等领域的发展需求。